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IXTA02N250HV

更新时间:2025-05-22 09:36:49

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
IXTA02N250HV
BOM配单
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
上传BOM

我要上特价
IXTA02N250HV
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展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市硅诺电子科技有限公司
IXTA02N250HV
5500
IXYS
-/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
IXTA02N250HV
8000
IXYS
TO263AB/2024+
原装现货，支持BOM配单

深圳市得捷芯城科技有限公司
IXTA02N250HV
7764
Littelfuse/IXYS
TO263AA/23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市安富世纪电子有限公司
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6000
IXYS/艾赛斯
TO263/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

现代芯城（深圳）科技有限公司
IXTA02N250HV
60000
-
-/NEW
一级代理保证

深圳市赛美科科技有限公司
IXTA02N250HV
5500
IXYS
NA/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市奥利腾科技有限公司
IXTA02N250HV
20000
IXYS
TO263AB/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
IXTA02N250HV
50000
IXYS/艾赛斯
TO263/2022+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
IXYS
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
原厂渠道，现货配单

现代芯城（深圳）科技有限公司
IXTA02N250HV
60000
一级代理
NEW/NEW
一级代理保证

深圳市华睿芯科技有限公司
IXTA02N250HV
20000
OKI
SOP/2024+
17%原装.深圳送货

深圳闻舟科技有限公司
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Littelfuse
TO263/25+
订货、调货

深圳市华芯源电子有限公司
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325680
IXYS/艾赛斯
TO263HV/23+
原装华强现货

深圳市铭尔达科技有限公司
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5000
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优势价格渠道发货2-3周+Q详聊

上海熠富电子科技有限公司
IXTA02N250HV
35910
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TO268/2024
上海原装现货库存，欢迎咨询

深圳市金科创世纪电子有限公司
IXTA02N250HV
10000
IXYS
TO263AA/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳市合江泰电子有限公司
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48000
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全新原装现货，一站式BOM配单

深圳市万芯时代贸易有限公司
IXTA02N250HV
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回收IC
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回收此型号IXTA02N250HV

深圳市科鑫美电子有限公司
IXTA02N250HV
9000
IXYS
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/22+
原厂渠道，现货配单

北京罗彻斯特电子科技有限公司
IXTA02N250HV
2111
IXYS
D2PAK3 (TO2633)/2328
长期供应原装现货IXYS优势，可提供研发选型生产配套

深圳市华盛锦科技有限公司
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8000
IXYS
TO263AB/25+
原装现货，支持BOM配单

深圳市芯创恒微电子有限公司
IXTA02N250HV
3000
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原装现货，优势渠道

深圳市万联芯科技有限公司
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236
IXYS(艾赛斯)
TO263/23+
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深圳市英德州科技有限公司
IXTA02N250HV
8610
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TO263/23+
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昆山隆诚翔电子有限公司
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原厂授权代理商主营IGBT模块可控硅模块二极管晶

芯德微联（深圳）电子有限公司
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TO263/22+
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
IXTA02N250HV-TRL
TDA7388 国
300000
Littelfuse/IXYS
TO263HV/23+
一级代理商可提供技术方案支持

上海凯昂电子技术有限公司
IXTA02N250HV-TRL
15800
IXYS/Littelfuse
TO263/23+
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深圳市星宇佳科技有限公司
IXTA02N250HV-TRL
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IXTA02N250HV 概述

IXTA02N250HV是由IXYS公司生产的一款高性能高压晶体管。该器件专为需要高电压和低导通电阻的应用设计，具有2500V的高击穿电压能力，适用于工业电源、医疗设备和可再生能源系统等领域的高压开关电路。这款晶体管采用先进的沟槽MOS技术制造，能够在保持低导通损耗的同时实现快速开关性能。其低栅极电荷特性有助于减少驱动功率需求，并提高系统效率。典型应用场景包括高压直流/交流转换器、逆变器以及电机驱动等需要高效能量管理的场合。在实际应用中，建议根据具体的工作条件选择合适的驱动电路以确保最佳性能。例如，在高频开关应用中应特别注意PCB布局优化，以最小化寄生电感对开关速度的影响。同时，散热设计也至关重要，需保证器件在额定功率下的稳定运行。

IXTA02N250HV 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
2500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
7.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
116 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263AA
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！

广东微尔科技有限公司

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