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IXTH1N300P3HV

更新时间:2025-06-02 05:13:44

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IXTH1N300P3HV 概述

IXTH1N300P3HV是IXYS公司生产的一款高电压功率MOSFET。该器件设计用于需要高耐压和低导通电阻的应用场合，其最大漏源电压可达300V，连续漏极电流为1A。它采用TO-247封装，具有优秀的热性能和电气特性。这款MOSFET适用于开关电源、逆变器、电机驱动等电力电子设备中，尤其适合对效率和可靠性要求较高的工业应用。在电路设计时，建议合理选择栅极电阻以优化开关速度，并注意布局以减少寄生电感的影响。由于其高压特性，在实际使用中应确保足够的绝缘距离并采取适当的保护措施以防过压损坏。

IXTH1N300P3HV 规格参数

现有数量
0现货360Factory查看交期
系列
Polar P3?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
3000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
30.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
895 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
195W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247HV
封装/外壳
TO-247-3 变式

芯知识

2.1万

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