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IXTH48N65X2

更新时间:2025-06-11 11:10:54

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IXTH48N65X2 概述

IXTH48N65X2是IXYS公司生产的一款高压功率MOSFET，适用于多种电力电子应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，有助于提高系统效率并减少热损耗。其最大漏源电压为650V，连续漏极电流可达48A，适合中高功率的应用需求。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、电机驱动器以及焊接设备等。在电机驱动器中，它能够高效地控制电机转速和扭矩；在UPS系统里，则用于实现电能的快速转换与稳定输出。此外，在开关电源设计中，此MOSFET可以降低能耗并提升整体性能表现。使用时应注意适当的散热设计以确保长期可靠工作，并且要遵循制造商推荐的栅极驱动电路参数进行配置，以防止过压或过流损坏。例如，在搭建一个1kW的逆变器电路时，应采用足够的散热片或者冷却风扇，并且根据实际工作条件调整栅极电阻值来优化开关特性。对于不同功率等级的应用场景，还需要仔细计算并选择合适的外围元件如电感、电容等，以满足设计要求。

IXTH48N65X2 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4420 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
660W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-247-3

芯知识

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