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IXTH94N20X4

更新时间:2025-05-18 02:14:56

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IXTH94N20X4 概述

IXTH94N20X4是IXYS公司生产的一款高性能N沟道MOSFET。这款功率MOSFET采用TO-247封装，具有极低的导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为200V，连续漏极电流（Id）可达94A，适用于高功率密度应用。该器件常用于工业电源、不间断电源系统（UPS）、电机驱动以及高频开关电源等场景。在电路设计中，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时应合理布局PCB以减少寄生电感对开关性能的影响。适当选择散热器可以有效提高设备的稳定性和可靠性。

IXTH94N20X4 规格参数

现有数量
1,052现货
系列
Ultra X4
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
94A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.6 毫欧 @ 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
77 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5050 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
ISO TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3

芯知识

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