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IXTR32P60P

更新时间:2025-05-19 11:19:37

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IXTR32P60P

IXYS FET - 单

MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247

封装:ISOPLUS247?

IXTR32P60P 概述

IXTR32P60P是IXYS公司生产的一款高功率N沟道MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和快速开关特性，有助于降低开关损耗并提高系统效率。其最大漏源电压为600V，连续漏极电流可达32A，适合中高压应用场景。此MOSFET广泛应用于电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及工业控制等领域。在具体应用中，建议使用适当的栅极驱动电路以确保可靠开关，并注意散热设计，防止过热损坏。对于高频应用，需特别关注寄生电感对开关性能的影响，可通过优化PCB布局减小影响。在设计时还需考虑足够的安全裕量，特别是在电压和电流应力较大的情况下。

IXTR32P60P 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PolarP™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
385 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
196nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
11100pF @ 25V
功率 - 最大
310W
安装类型
通孔
封装/外壳
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供应商设备封装
ISOPLUS247?
包装
管件

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