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IXTT28N50Q

更新时间:2025-06-20 02:28:58

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IXTT28N50Q

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 500V 28A TO-268

封装:TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA

IXTT28N50Q 概述

IXTT28N50Q是由IXYS公司生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件设计用于高电压和大电流的应用场景，最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）可达28A。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗并提高系统效率。典型应用场景包括开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及需要高效功率转换的工业设备。由于其快速开关速度和低栅极电荷（Qg），特别适合高频应用，能有效降低开关损耗，提升整体系统性能。在使用IXTT28N50Q时，需注意适当的散热设计以确保稳定工作。建议在PCB布局中采用足够的铜面积作为散热路径，并考虑添加散热器。此外，应遵循推荐的栅极驱动电路设计，以保证可靠开启和关闭MOSFET，避免过冲或振荡现象的发生。

IXTT28N50Q 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
28A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫欧 @ 14A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3300pF @ 25V
功率 - 最大
400W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装
TO-268
包装
散装

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