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LMC660AIN

更新时间:2025-06-13 17:19:47
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LMC660AIN 规格参数
  • 制造商
    National Semiconductor (TI)
  • 通道数量
    4
  • 共模抑制比（最小值）
    70 dB
  • 输入补偿电压
    3 mV at 5 V
  • 工作电源电压
    5 V, 9 V, 12 V, 15 V
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    MDIP
  • 转换速度
    1.1 V/us at 5 V
  • 关闭
    No
  • 最大工作温度
    + 85 C
  • 封装
    Tube
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 工厂包装数量
    25
  • 电源电流
    2.2 mA at 5 V
  • Supply Voltage - Max
    15.5 V
  • Supply Voltage - Min
    4.75 V
  • 技术
    CMOS
  • 电压增益 dB
    126.02 dB
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