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MMDT4146-7

更新时间:2025-06-12 19:40:46
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MMDT4146-7 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    120 @ 2mA，1V
  • 功率 - 最大
    200mW
  • 频率 - 转换
    300MHz，250MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    SOT-363
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MMDT4146DITRMMDT4146TRMMDT4146TR-ND
MMDT4146-7 Datasheet数据手册 PDF下载
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