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  • MMFT960T1G的技术参数

    产品型号:mmft960t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1.700最大漏极电流id(on)(a):0.300通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.3a,60v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥2.74 来源:xiangxueqin

  • MMFT960T1G的技术参数

    产品型号:MMFT960T1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.700
    最大漏极电流Id(on)(A):0.300
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.3A,60V,SOT223,N沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):...

mmft960t1g替代型号

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