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NTD4906NG

更新时间:2025-06-01 22:07:37

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NTD4906NG 概述

NTD4906NG是ON Semiconductor生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。该MOSFET的最大漏源电压为-30V，适用于低压应用场合。其栅极电荷较低，有助于提高开关速度并降低驱动功率需求。此款MOSFET常见于电源管理电路中，如DC - DC转换器、负载开关等。在电池供电设备里，能有效提升效率。使用时需注意散热设计，避免过热损坏。由于其低导通电阻特性，在实际电路设计中可以减少能量损耗。对于小功率应用场景，可以直接替换其他同封装类型的MOSFET以优化性能。在进行电路板布局时，尽量缩短源极和栅极走线长度，以减小寄生电感对开关性能的影响。

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