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今天同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5381拓展了安森美半
同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。” 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。 ncp5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的ddr控制器、通用控制器、mosfet和分立产品的产品系列。 来源:小草
产品型号:NTD50N03RG
源漏极间雪崩电压VBR(V):25
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.700
最大漏极电流Id(on)(A):45
通道极性:N
封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175
描述:25V,45A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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制器架构的性能限制。安森美半导体的pwm控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进cpu功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。" 完整的解决方案 除ncp5381外，安森美半导体的cpu功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (v) ncp3418b mosfet门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用soic-8和dfn-10无铅封装。八个25 v、单n-沟道mosfet也是双缘vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(a)的ntd50n03r mosfet和四个65 a的ntd65n03r mosfet。这些器件的rds(on)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅dpak封装。一个驱动器和两个mosfet用于驱动ncp5381的四个输出相位。 供货日期 ncp5381mnr2g采用40引脚无铅qfn封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至michael.stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与mike stapleton联系。 ncp5
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