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NTGS4111PT

更新时间:2025-05-28 22:10:38

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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

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原厂渠道，现货配单

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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市思跃电子有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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NTGS4111PT 概述

NT111PT是安森美半导体生产的一款P沟道功率MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性。该MOSFET的最大漏源电压Vds为-30V，在Vgs=-4.5V时，最大导通电阻Rds(on)典型值为28mΩ，这有助于减少导通损耗，提高能效。此款MOSFET适用于负载开关、电源管理以及电机驱动等应用场景。在电池供电设备中，由于其低导通电阻特性，可以有效降低功耗。在使用时需要注意，应确保栅极驱动电压足够以达到理想的导通电阻，并且要考虑到散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。在电机驱动电路中，需正确选择合适的外围元件如电容和电感来优化整体性能。

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