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  • NTHD2102PT1G的技术参数

    产品型号:nthd2102pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):1源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):1通道极性:p/p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-4.6a, -8v双功率mosfet价格/1片(套):￥2.60 来源:xiangxueqin

  • NTHD2102PT1G的技术参数

    产品型号:NTHD2102PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):1
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V
    最大漏极电流Id(on)(A):1
    通道极性:P/P沟道
    封装/温度(℃):ChipFET/-55~150
    描述:-4.6A, -8V双功率MOSFET
    价格/1片(套):￥2.60

nthd2102pt1g替代型号

NTHC5513T1G NTHC5513 NTH5G16P33B103J07TH NTGS4111PT1G NTGS3455T1G NTGS3455T1 NTGS3455 NTGS3446T1G NTGS3446T1 NTGS3443T1G

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