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NTZD3155CT1G

更新时间:2025-07-03 09:54:41

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NTZD3155CT1G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563

封装:SOT-563，SOT-666

NTZD3155CT1G 概述

NTZD3155CT1G是一款由安森美半导体生产的双N沟道和P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电池供电设备中的负载开关和电源管理应用。其最大漏源电压为20V（N沟道）和-12V（P沟道），可提供高达3.3A的连续电流，适合驱动中等功率负载。由于其紧凑的封装设计，非常适合空间受限的应用场景如智能手机、平板电脑和其他便携式消费电子产品。此外，NTZD3155CT1G还具备良好的热稳定性和可靠性，在高效能和低功耗要求下表现优异。在实际应用中应注意正确选择栅极驱动电压以确保可靠工作，并且注意散热设计以避免过热损坏。

NTZD3155CT1G 规格参数

标准包装
4,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
540mA，430mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 16V
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTZD3155CT1GOSTR

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