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PBLS6001D,115

更新时间:2025-05-17 02:12:14
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PBLS6001D,115外观图

PBLS6001D,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

LOADSWITCH PNP 60V 1A SOT457

  • 封装:SC-74，SOT-457
PBLS6001D,115 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    1 NPN 预偏压式，1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA，700mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V，60V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）
    2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
    2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    30 @ 20mA，5V / 150 @ 500mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    150mV @ 500µA，10mA / 340mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    1µA，100nA
  • 频率 - 转换
    185MHz
  • 功率 - 最大
    600mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装
    6-TSOP
  • 包装
    带卷 (TR)
PBLS6001D,115 Datasheet数据手册 PDF下载
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