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  • 安装类型:

    表面贴装

  • 宽度:

    1.4mm

  • 封装类型:

    TO-236AB

  • 尺寸:

    1 x 3 x 1.4mm

  • 引脚数目:

    3

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 最低工作温度:

    -65 °C

  • 最大功率耗散:

    1200 mW

  • 最大发射极-基极电压:

    5 V

  • 最大基极-发射极饱和电压:

    1.2 V

  • 最大直流集电极电流:

    2 A

  • 最大集电极-发射极电压:

    20 V

  • 最大集电极-发射极饱和电压:

    0.31 V

  • 最大集电极-基极电压:

    20 V

  • 最小直流电流增益:

    150 V

  • 最高工作温度:

    +150 °C

  • 最高工作频率:

    100 MHz

  • 每片芯片元件数目:

    1

  • 类别:

    双极功率

  • 配置:

    单

  • 长度:

    3mm

  • 高度:

    1mm

  • 双极晶体管和肖特基二极管改进技术

    因此，采用sot23封装的晶体管要比采用较大的sot223封装的晶体管的成本低得多。---对于传统晶体管设计，通常是所需要的集电极电流限制了裸片尺寸，从而限制了进一步小型化的努力。例如，采用传统设计，集电极电流>0.5a的晶体管无法采用sot23封装。另一方面，如果采用网状结构发射极技术，现在已经可以在sot23封装中提供集电极电流大于2a的晶体管。因此，网状发射极晶体管（sot23）可以用来代替更大的sot223封装晶体管，并且提供相当、甚至更好的特性。biss晶体管pbss4350t和pbss4320t以及中功率晶体管bdp31。

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PBSS PBM3960 PBL38710 PBL3771 PBL3717A PBL3717 PB-FREE PBF206 PBE-1000 PBA1

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