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PBSS5160V,115

更新时间:2025-07-26 00:34:31
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PBSS5160V,115外观图

PBSS5160V,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路

TRANS PNP 60V 1A LOW SAT SOT666

  • 封装:SOT-563，SOT-666
PBSS5160V,115 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    900mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    330mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    150 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大
    500mW
  • 频率 - 转换
    220MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-666
  • 包装
    Digi-Reel®
  • 其它名称
    568-7310-6
PBSS5160V,115 Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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