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PFP160N10S

更新时间:2025-05-29 09:10:31

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PFP160N10S 概述

PFP160N10S是由PFC-Polyfet公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为100V，连续漏极电流（Id）可达160A，适用于高功率密度应用。此MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。在电动工具、不间断电源系统中表现出色。由于其优良的热性能和电气特性，在需要高效能开关元件的应用场景中颇受欢迎。在实际应用中，建议关注其散热设计，确保工作温度处于安全范围以内。布局时尽量缩短源极与地之间的走线长度，以减少寄生电感的影响。在电路设计时，可以考虑使用该MOSFET构建同步整流电路，提高整体效率。

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