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PMGD280UN,115

更新时间:2025-06-10 16:34:56
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PMGD280UN,115外观图

PMGD280UN,115

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363

  • 封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
PMGD280UN,115 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    870mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    340 毫欧 @ 200mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    0.89nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    45pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    400mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装
    6-TSSOP
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-2365-6
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