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PSMN102-200Y,115

更新时间:2025-07-14 13:56:09
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PSMN102-200Y,115外观图

PSMN102-200Y,115

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

  • 封装:SC-100，SOT-669，4-LFPAK
PSMN102-200Y,115 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    21.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    102 毫欧 @ 12A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    30.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1568pF @ 30V
  • 功率 - 最大
    113W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-100，SOT-669，4-LFPAK
  • 供应商设备封装
    LFPAK，Power-SO8
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-6544-6
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广东微尔科技有限公司
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