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RFN1LAM6STFTR

更新时间:2025-06-22 01:54:22

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RFN1LAM6STFTR 概述

RFN1LAM6STFTR是安森美半导体生产的一款低噪声放大器芯片，专为无线通信应用优化。该器件采用先进的SiGe工艺制造，具备出色的噪声系数和高增益特性，在1.9 GHz频段下的噪声系数仅为0.75 dB，非常适合于基站、中继器和其他需要高性能射频前端的无线基础设施设备。这款放大器在设计上注重线性度与效率的平衡，能在较宽的工作温度范围内稳定运行。其典型应用场景包括移动通信基站的接收链路前端，用于增强微弱信号并抑制噪声干扰。电路设计时需注意匹配网络的设计以确保最佳性能，并采取适当的屏蔽措施来防止电磁干扰。由于其高灵敏度特点，在布局布线时应尽量缩短输入输出走线长度，减小寄生参数影响。

RFN1LAM6STFTR 规格参数

现有数量
2,965现货
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.45 V @ 800 mA
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 μA @ 600 V
不同?Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-128
供应商器件封装
PMDTM
工作温度 - 结
150°C（最大）

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