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INTERSIL [Intersil Corporation]
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FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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实现mosfet或igbt的软关断，以防止开关器件因过压而损坏。 2．3 全桥逆变主回路的设计 本文采用全桥逆变电路，如图4所示。与半桥逆变相比，全桥逆变具有结构简单，电压利用率与可输出功率高的特点。另外，在一般情况下，最大反向电压不会超过电源电压vs，4个再生二极管能消除一部分由漏感产生的瞬间电压。开关管采用mosfet，是因为其具有导通压降小，开关速度快，输出功率大等特点。采用rc缓冲器可以在开关管关断时减小集电极电压应力，以防止开关管因反压过大而烧坏。 选用rfp50n05l，to-220ab封装作为开关管进行计算。以开关管导通电阻rds（on）=0．027 ω，高频变压器效率η=0．9，输入电压ui=24 v，磁控管功率po=920 w，占空比d=0．5为例，得ii=43．6 a，vds（on）=43．6×0．027=1．17 v，pds=1．17×43．6×2×0．5=51．3 w。 3 高频变压器设计 高频变压器是作为开关电源最主要的组成部分。开关电源中的拓扑结构有很多。比如半桥式功率转换电路，工作时两个开关三极管轮流导通来产生100khz的高频脉冲波
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