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RZC12N25

更新时间:2025-05-17 22:59:49

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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上海凌岳电子科技有限公司（上
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上海磐岳电子有限公司
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RZC12N25 概述

RZC12N25是来自Rohm（罗姆半导体）的一款N沟道MOSFET。该器件采用表面贴装封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为25mΩ，适用于高效功率管理应用。其最大漏源电压额定值为100V，连续漏极电流可达30A，因此在工业控制、电源转换器以及电机驱动等场景中表现出色。在实际应用中，这款MOSFET常用于开关电源设计中的同步整流电路或作为高侧/低侧开关使用。当用于电机控制时，建议注意散热设计以确保器件工作在安全温度范围内。此外，由于其快速开关特性，PCB布局应尽量减小寄生电感以避免产生过冲电压损坏器件。选择合适的栅极驱动电阻对于优化开关性能也非常重要。如果需要更详细的参数和曲线图，请参考官方数据手册。

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