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SI1058X-T1-GE3

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SI1058X-T1-GE3外观图

  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:91 毫欧 @ 1.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:380pF @ 10V
  • 功率 - 最大:236mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装:SC-89-6
  • 包装:带卷 (TR)
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