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SI1499DH-T1-GE3
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P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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SI1499DH-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
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SI1499DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
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rds)低至45mω。凭借低阈值电压以及确保可在1.5v栅极驱动电压下运行的规范，这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路，并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。 这五款功率mosfet中的两款采用little foot tsop-6封装的器件，它们分别具有20v (si3495dv)和-8v(si3499dv)漏极到源极击穿电压，在栅极驱动电压为1.5v时，导通电阻分别为47mω和45mω。 另外三款器件是-8v的si8419db、si5499dc和si1499dh，它们分别采用micro foot、1206-8 chipfet和sc-70 封装。如同新型little foot器件一样，这三款器件的额定栅极电压均为1.5v，这些器件有助于缩小占位面积，可实现更灵活的终端系统设计。 上述p通道负载开关的样品和量产批量生产均可提供，大宗订单的供货周期为12周。100,000片订购，美国发运的起始单价为25美分(仅供参考)。 来源:小草
能高于最低栅源电压规格为1.5v的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75)，以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封装的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet产品系列。 这些新型器件的一般应用包括手机、pda、mp3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。 目前，所有七款1.2v器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。 500){this.width=500}" border=0> 来源:小草
电阻性能高于最低栅源电压规格为1.5v的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75)，以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封装的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet产品系列。 这些新型器件的一般应用包括手机、pda、mp3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。 目前，所有七款1.2v器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。 来源:小草
性能高于最低栅源电压规格为1.5v的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75)，以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封装的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet产品系列。 这些新型器件的一般应用包括手机、pda、mp3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。 目前，所有七款1.2v器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。 500){this.width=500}" border=0> 来源:小草
性能高于最低栅源电压规格为1.5v的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75)，以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封装的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet产品系列。 这些新型器件的一般应用包括手机、pda、mp3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。 目前，所有七款1.2v器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。
于最低栅源电压规格为1.5v的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75)，以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封装的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet产品系列。 这些新型器件的一般应用包括手机、pda、mp3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。 目前，所有七款1.2v器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。
性能高于最低栅源电压规格为1.5v的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75)，以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封装的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet产品系列。 这些新型器件的一般应用包括手机、pda、mp3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。 目前，所有七款1.2v器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。
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