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SI1902CDL-T1-BE3

更新时间:2025-05-31 04:21:28
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SI1902CDL-T1-BE3 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1A（Ta），1.1A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    235 毫欧 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    62pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    300mW（Ta），420mW（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装
    SC-70-6
芯知识
2.9万
视频广告HGLS1系列模块电源作为光伏电站的”心脏起搏器”，就相当于光伏储能汇流箱监测系统中的“充电宝”！
广东微尔科技有限公司
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