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当前位置：维库电子市场网>IC>si2302ds-t1 更新时间:2024-04-24 23:30:32

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si2302ds-t1价格行情

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历史最低报价：￥0.0650 历史最高报价：￥2.9000 历史平均报价：￥0.4177

si2302ds-t1中文资料

  • 制造商:

    Vishay

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    20 V

  • 闸/源击穿电压:

    +/- 8 V

  • 漏极连续电流:

    2.8 A

  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）:

    85 mOhms at 4.5 V

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装 / 箱体:

    TO-236-3

  • 封装:

    Reel

  • 下降时间:

    36 ns

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 功率耗散:

    1250 mW

  • 上升时间:

    36 ns

  • 工厂包装数量:

    3000

  • 典型关闭延迟时间:

    34 ns

  • SI2302DS-T1近期市场行情分析

    si2302ds-t1广泛适用于it、通信、消费类电子等领域。其近几周网页搜索率和询价频率明显增多，商家报价也较为积极，且所报价格较集中，皆在0.5元/pcs-0.7元/pcs之间，购买量达1000以上时价格可下调至0.38元/pcs左右。 产品型号：si2302ds-t1 所属类型：半导体三极管 制造商：vishay 封装方式：sot-23 产品详细参数 rohs：否 配置：single 晶体管极性：n-channel 极极/源极击穿电压：20v 闸/源击穿电压：+/-8v 漏极连续电流：2.8a 功率耗散：1250mw 最大工作温度：+150℃ 安装风格：smd/smt 封装/箱体：to-236-3 封装：reel 最小工作温度：-55℃ standardpackqty：3000

si2302ds-t1替代型号

SI2302ADS SI2302 SI2301 SI1865DL SI1563DH SI1499DH SI1120-A-GM SI1037X SI1000DK SI1000

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