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SIA527DJ-T1-GE3

更新时间:2025-07-04 15:23:33
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SIA527DJ-T1-GE3 规格参数
  • 现有数量
    229现货
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）
    12V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    29 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15nC @ 8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    500pF @ 6V
  • 功率 - 最大值
    7.8W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SC-70-6 双
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SC-70-6 双
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芯知识
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广东微尔科技有限公司
SIA527DJ-T1-GE3推荐型号
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