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FF200R12KT4

更新时间:2025-07-06 09:00:59
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  • 说明
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • FF200R12KT4

  • 优势

  • 1024

  • Infineon/英飞凌

  • MODULE/25+

  • 全新原装原盒原标实拍 支持选型 保证质量 新批次

您是不是要找：FF200R12KT3 FF200R12KS4 FF200R12KS3 FF200R12KES4 FF200R12KE4 FF200R12KE3G FF200R12KE3ENG FF200R12KE3 FF200R06ME3 FF200R06KE3 FF200R12MT4
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FF200R12KT4 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    320 A
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    62MM
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Screw
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