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SIB410DK-T1-GE3

更新时间:2025-07-04 16:28:43
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SIB410DK-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 漏极连续电流
    9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.034 Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK SC-75-6L
  • 封装
    Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    30 S
  • 栅极电荷 Qg
    10 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    13 W
  • 零件号别名
    SIB410DK-GE3
SIB410DK-T1-GE3 Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
3.1万
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广东微尔科技有限公司
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