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SIR640DP-T1-GE3

更新时间:2025-05-17 07:01:25
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SI1032X-T1-E374HCT86DREF01CPZSN74LVC1G373DCKRUS1881KUAFGA25N120ANTDTU1N4448W-7-FADM708TAR
SIR640DP-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    40 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    60 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.0017 Ohms at 10 V
  • 配置
    Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK SO-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    10 nS
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    110 S
  • 栅极电荷 Qg
    34.6 nC
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    104 W
  • 上升时间
    11 nS
  • 典型关闭延迟时间
    50 nS
  • 零件号别名
    SIR640DP-GE3
芯知识
5.4万
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广东微尔科技有限公司
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