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SIR72802F0A11

更新时间:2025-05-18 16:46:16

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SIR72802F0A11 概述

SIR72802F0A11是Vishay公司生产的一款P沟道MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏源电压为-20V，在栅极驱动电压为-4.5V时，典型导通电阻仅为36mΩ，有助于减少导通损耗提高系统效率。此MOSFET常见于便携式设备的电源管理电路中，如智能手机、平板电脑等移动设备的电池充电管理和负载切换。由于其小尺寸封装（TSOP-6），非常适合对空间要求严格的电路设计。在使用时需注意正确设置栅极驱动电压以确保完全开启MOSFET，并避免超过最大漏源电压限制以防损坏器件。在实际电路设计中，可将其用于低压差稳压器的控制开关或作为高效DC - DC转换器中的同步整流管。

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