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SIZF906BDT-T1-GE3

更新时间:2025-05-25 08:10:17
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SIZF906BDT-T1-GE3 规格参数
  • 现有数量
    29,479现货
  • 系列
    TrenchFET? Gen IV
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 个 N 通道（双），肖特基
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2.1 毫欧 @ 15A，10V，680μ欧姆 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    49nC @ 10V，165nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1630pF @ 15V，5550pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
    8-PowerPair?（6x5）
芯知识
3.6万
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广东微尔科技有限公司
SIZF906BDT-T1-GE3推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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