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STB100N10F7

更新时间:2025-06-10 14:58:45

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市斌腾达科技有限公司
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深圳市群川盛达电子有限公司
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深圳市吉铭贸易有限公司
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标准国际（香港）有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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中扬电子（深圳）有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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深圳原装现货，可看货可提供拍照

深圳市世纪成达电子科技有限公
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原厂渠道，现货配单

深圳市广弘电子有限公司
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深圳市富莱微科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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深圳市华芯盛科电子有限公司
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华芯盛世半导体（深圳）有限公
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深圳市智其伟业电子有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市合江泰电子有限公司
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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深圳市佳蓓电子有限公司
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深圳市广运诚科技有限公司
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深圳市泽芯微科技有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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STB100N10F7 规格参数

现有数量
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系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4369 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

芯知识

2.9万

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广东微尔科技有限公司

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