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STB10NK60Z1

更新时间:2025-06-16 04:51:16

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STB10NK60Z1 概述

STB10NK60Z1是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高压应用设计，最大漏源电压（Vds）可达600V，连续漏极电流（Id）在25℃时为10A。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少能量损耗，提高系统效率。这款MOSFET适用于开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动以及工业控制等需要高能效和可靠性的场合。在电路设计中，建议关注栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，并合理布局PCB以优化散热性能。注意在实际使用时要遵循相关电气安全规范，避免过压或过流导致元件损坏。

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