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STB15NM65N

更新时间:2025-05-23 10:05:52

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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89000
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TO263/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市创芯联盈电子有限公司
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540030
ST/意法
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十年配单，只做原装

深圳市硅宇电子有限公司
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15988
STMicroelectronics(意法半导体)
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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4367
ST
TO263/23+
23+

深圳市得捷芯城科技有限公司
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4225
ST/意法
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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市亿科泰电子科技有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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TO263/23+
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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89000
ST
TO263/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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10000
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深圳市福田区汇融电子经营部
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市腾桩电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市行进微电子有限公司
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安富利（深圳）商贸有限公司
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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STB15NM65N外观图

STB15NM65N

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

STB15NM65N 概述

STB15NM65N是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高电压应用场合。其最大漏源电压(VDS)为650V，连续漏极电流(ID)在25°C时为15A。由于其低导通电阻(RDS(on))特性，在开关电源、电机驱动和逆变器等应用中表现出色。此外，该MOSFET还具有快速开关性能，有助于提高效率并减少能量损耗。在实际应用中，建议搭配适当的栅极驱动电路以确保可靠工作，并注意散热设计以维持器件的稳定运行。

STB15NM65N 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫欧 @ 7.75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 50V
功率 - 最大
150W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-7936-6

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