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STB80NF12

更新时间:2025-05-25 18:51:05

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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STB80NF12 概述

STB80NF12是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点。该MOSFET的最大漏源电压为120V，连续漏极电流可达80A，非常适合在高频开关电源、电机驱动以及工业控制等应用中使用。其快速的开关速度有助于提高系统效率并减少开关损耗。在实际应用中，为了确保稳定工作，建议在电路设计时合理选择栅极驱动电阻，并注意散热设计以避免过热损坏。对于电机驱动电路，可将其用于H桥或半桥拓扑结构中实现对电机的有效控制。

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