STC03DE220HV
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意法半导体推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达到了0.33
意法半导体(st)宣布推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达到
意法半导体(st)宣布推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达到
出安全输出级关断、预 por 过压保护和 vcc 欠压保护等多种保护来实现这个目标。这种对系统安全的关注,加上改善的灵活性和更高的栅极驱动效率,有助于设计人员保持电路板设计的一致性,同时实现诸多改善,并避免使用昂贵的低的 rds(on) mosfet。 此外,isl6615 还具有先进的自适应零击穿死区时间控制、上电复位(por)功能,以及多功能栅极驱动电压等特性。这些都有助于实现行业最佳的开关效率,而且无需重新设计电路板。 esbt功率开关降低能耗、尺寸和成本 意法半导体推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大
意法半导体推出STC03DE220HV ESBT(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。
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意法半导体(ST)宣布推出STC03DE220HV ESBT(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。
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st推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达到了0.33
意法半导体推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达到了0.33
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stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达到了0.33 欧姆的等效导通电阻,同时还实现了150khz的最大开关频率,如此高的工作频率允许设计使用尺寸更小的滤波器。此外,整个裸片尺寸小于同级别电压的高压mosfetx,产品本身就实现了节省