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STB8N65M5

更新时间:2025-06-07 01:05:43
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STB8N65M5外观图

STB8N65M5

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

  • 封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
STB8N65M5 规格参数
  • 其它有关文件
    STB8N65M5 View All Specifications
  • 产品培训模块
    5th Generation High Voltage Mosfet Technology
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    MDmesh™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    600 毫欧 @ 3.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    690pF @ 100V
  • 功率 - 最大
    70W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    D2PAK
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    497-10875-6
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广东微尔科技有限公司
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