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STB8NM60D

更新时间:2025-05-30 14:06:45

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市奥利腾科技有限公司
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奥利腾只做原装正品，实单价优可谈

深圳市泰佳兴电子有限公司
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大量现货，提供一站式配单服务

深圳市兴中芯科技有限公司
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深圳市富莱微科技有限公司
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深圳市亿科泰电子科技有限公司
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原装现货终端免费提供样品

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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市伟芯源电子科技有限公司
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10000
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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5000
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原装库存，提供优质服务

深圳市跃创芯科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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6000
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深圳市芯国创科技有限公司
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8000
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D2PAK/22+
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市硅诺电子科技有限公司
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TO263/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市科圳威电子有限公司
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深圳原装现货，可看货可提供拍照

深圳市华盛锦科技有限公司
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全网最低价，认准华盛锦

深圳市创芯联盈电子有限公司
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终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳羚行科技有限公司
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原装现货，实单来谈，配套服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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9400
STM
TO2633/23+
原装现货

深圳市华美锐科技有限公司
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3000
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原装正品热卖，价格优势

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限
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深圳市思佳捷科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳中和芯电子有限公司
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深圳市鑫达通电子有限公司
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D2PAK/2215+
原装现货，可提供一站式配套服务

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STB8NM60D外观图

STB8NM60D

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

STB8NM60D 概述

STB8NM60D是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，专为高压应用设计。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC转换器及电机驱动等应用场合。其最大漏极-源极电压（Vds）可达600V，连续漏极电流（Id）在25°C时为8A。由于其出色的雪崩特性，能够在恶劣环境下稳定工作。在电路设计中，建议使用适当的栅极电阻以控制开关速度，并确保良好的散热措施以维持性能稳定。对于电机驱动应用，需注意合理布局走线以减少电磁干扰。

STB8NM60D 规格参数

其它有关文件
STB8NM60D View All Specifications
标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-5244-6

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