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STD10P10F6

更新时间:2025-06-08 12:13:06

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳奋发微电子有限公司
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深圳市一芯集成科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市宏创兴泰电子有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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原装正品现货假一罚十ST全系列订货

深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳奋发微电子有限公司
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深圳市南烽电子有限公司
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深圳市岳泰达电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市凌涵科技有限公司
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北京天阳诚业科贸有限公司
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现货常备库存京北通宇商城可查价格

深圳市君云达电子科技有限公司
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ST
TO252/24+
原装正支持实单

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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ST/意法
TO252/23+
原装现货，实单支持

深圳羚行科技有限公司
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原装现货，实单来谈，配套服务

深圳市颢天电子有限公司
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TO252/21+
百分百原装，有挂有货，假一赔十

深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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STD10P10F6 概述

STD10P10F6是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其典型应用场景包括直流-直流转换器、电池充电器、电机驱动以及各种需要高效电能转换的工业设备中。在电路设计时，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时要考虑散热设计以维持器件工作温度在安全范围内。由于其较高的最大漏源电压和连续漏电流能力，特别适合于高压大电流的应用环境。使用时建议参考最新的数据手册进行外围电路设计以确保系统的稳定性和可靠性。

STD10P10F6 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
STripFET? F6
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
864 pF @ 80 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

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