STD11NM60ND
693
TO252/16+
四雄微原装价优实在
STD11NM60ND
70000
SOP/-
原装 免费送样 一站式元器件采购商城
STD11NM60ND
1292
TO252/21+
百分百原装，有挂有货，假一赔十
STD11NM60ND
50000
MOSFET NCH 600V 10A DPAK/2020+
原装现货配单
STD11NM60ND
41800
TSSOP/24+
原装现货，可开专票，提供账期服务
STD11NM60ND
75
TO252/19+
只做原装
STD11NM60ND
20918
TO252DPAK/2024
原装现货上海库存，欢迎查询
STD11NM60ND
5000
-/25+
只做原装，价格市场
STD11NM60ND
32388
to252/19+
深圳原装现货
STD11NM60ND
10000
TO2523/22+
只有原装，原装，假一罚十
STD11NM60ND
10212
TO252/21+
原装现货终端免费提供样品
STD11NM60ND
6000
TO252/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单
STD11NM60ND
22500
TO 252 DPAK/16+RoHS
保证质量质优价好给你
STD11NM60ND
45
-/-
公司现货只做原装
STD11NM60ND
9800
TO252/23+
进口原装假一赔十，实单可谈
STD11NM60ND
15988
DPAK/25+
助力国营二十余载，一站式BOM配单
STD11NM60ND
35568
14PBF/1901+
原包装进口正品现货库存-正规渠道
STD11NM60ND
8000
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
原厂渠道，现货配单
STD11NM60ND
154836
TO252/22+
终端可以免费供样，支持BOM配单
直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。 来源:ks99
合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 来源:ks99
合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有极低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆。 stw55nm60nd现在已开始量产。
直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。 采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。
联系人：
联系方式：
