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ST推出全新快速恢复MOSFET产品
直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。来源:ks99
ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND
合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。来源:ks99

快速恢复MOSFET新品，面向高功率密度和超低功耗的应用
合垂直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有极低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆。 stw55nm60nd现在已开始量产。
ST推出全新快速恢复MOSFET产品
直结构，同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外，通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻，这些技术改良更能提高开关效率，降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性，特别是在桥式拓扑中，包括在低负载下的零压开关（zvs）结构，使新产品具有很高的dv/dt值。采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能，每款封装都让快速恢复mosfet晶体管具有业内最低的导通电阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封装，额定漏极电流25a，导通电阻0.13欧姆；std11nm60nd采用dpak贴装封装，漏极电流10a，导通电阻0.45欧姆；st的fdmesh ii系列产品将不断推出新产品，以扩大电压和电流性能的选择范围，后续产品将采用业内标准的功率封装。 stw55nm60nd现在已开始量产。

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