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STD830CP40

更新时间:2025-05-27 12:33:07
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STD830CP40外观图

STD830CP40

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 阵列

TRANSISTOR PAIR 400V 8-DIP

  • 封装:8-DIP（0.300"，7.62mm）
STD830CP40 规格参数
  • 其它有关文件
    STD830CP40 View All Specifications
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN，PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 200mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    18 @ 700mA，5V
  • 功率 - 最大
    3W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    8-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供应商设备封装
    8-DIP
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-12244
芯产品
363
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广东微尔科技有限公司
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