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ST车用大电流功率场效应MOS晶体管实现低导通电阻..
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应mos晶体管，该产品采用st最新优化的stripfet专利技术，实现了最低的导通电阻。 std95n04是一个40v的标准电平的dpak产品，最大导通电阻rds(on)6.5mω，专门为dc-dc转换器、电机控制、电磁阀驱动器和abs设计的。新产品的典型rds(on)在5mω区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。std95n04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的aec q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃ ，100%通过雪崩测试。 stripfet技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应mos晶体管将采用相同的技术，以满足dpak和d2pak的需求。采用dpak和to-220封装的std95n04现已投入量产。订购10,000件，单价0.38美元。来源:小草

意法半导体推出ST车用大电流功率场效应晶体管
意法半导体日前针对汽车市场推出新的大电流功率场效应mos晶体管，该产品采用st最新优化的stripfet专利技术，实现了最低的导通电阻。据介绍，std95n04是一个40v标准电平的dpak产品，最大导通电阻rds(on)6.5mω，专门为dc-dc转换器、电机控制、电磁阀驱动器和abs设计的。新产品的典型rds(on)在5mω区间内，能够满足标准阈压的驱动要求。std95n04符合汽车电工理事会组件技术委员会针对汽车环境用组件制定的aec q101分立器件应力测试标准。该组件最大工作温度175℃，100%通过雪崩测试。 stripfet技术以密度大幅度提高的单元为基础，导通电阻和功耗比上一代技术更低，占用的硅片面积更少。正在开发的其它的功率场效应mos晶体管。

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