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STF6N90K5

更新时间:2025-08-08 21:45:46

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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STF6N90K5 概述

STF6N90K5是意法半导体生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）可达900V，连续漏极电流（Id）为6A，在高温环境下也能稳定工作。典型应用包括开关电源、照明系统中的LED驱动器、家用电器的电机驱动以及工业设备中的高压转换电路。在设计时需注意其栅极驱动电压范围，确保在有效区间内以实现最佳性能，防止因驱动不足导致的发热问题。此款MOSFET适用于需要高效率和紧凑设计的场合。

STF6N90K5 规格参数

现有数量
329现货
系列
MDmesh? K5
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FP
封装/外壳
TO-220-3 整包

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