STF7N95K3
860000
TO220F/25+
原装现货库存，支持订货可开发票。
STF7N95K3
89999
TO220/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务
STF7N95K3
8000
SO8/25+
原装现货，支持BOM配单
STF7N95K3
20000
SO8/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
STF7N95K3
8000
SO8/2024+
原装现货，支持BOM配单
STF7N95K3
258200
-/2021
-
STF7N95K3
5000
-/25+
只做原装，价格市场
STF7N95K3
20000
8SON8TSSOP/2024+
17%原装.深圳送货
STF7N95K3
8735
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票
STF7N95K3
7300
2013+/23+
原装现货
STF7N95K3
6007
TO2203/22+
原装现货 可开增值税发票
STF7N95K3
50000
-/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务
STF7N95K3
3147
TO220F/23+
23+
STF7N95K3
5000
Tube/2015+
原装正品，配单能手
STF7N95K3
5000
TO220F/26+
国产品牌isc，替代进口
STF7N95K3
5000
Tube/2015+
原装正品，配单能手
STF7N95K3
8963
TO2203 Full Pack/22+
只做原装，现货库存
STF7N95K3
2501
TO220FP/16+
代理直销，公司原装现货供应
STF7N95K3
3000
Tube/24+
原装现货,提供优质配单服务
现了导通损耗最小化，导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员 可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子
3系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%，设计人员可 以提高功率密度及能效。 同时，因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容，这些新的mosfet还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3™技术。新产品采用工业标准封装：stf7n95k3采用 to-220fp封装；stp7n95k3采用标准的to-220封装；stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是：950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
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