STF7N95K3
6697
TO220FP/23+
原装,授权代理
STF7N95K3
3526
TO220FP/24+
假一罚十,原装现货,支持含税
STF7N95K3
50000
TO2203/22+
原装现货,假一赔十
STF7N95K3
65286
-/21+
全新原装现货,长期供应,免费送样
STF7N95K3
26000
TO220FP/21+
一级代理 现货在库
STF7N95K3
9210
TO220FP/23+
只做原装更多数量在途订单
STF7N95K3
17770
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20年配单 只求现货匹配
STF7N95K3
3000
TO220F/2024+
品牌isc,32年国产厂家,替代原装进口
STF7N95K3
3147
TO220F/23+
原装现货
STF7N95K3
20000
8SON8TSSOP/2023+
17%原装.深圳送货
STF7N95K3
3526
TO220FP/23+
原装,现货库存
STF7N95K3
10000
TO220F/21+
欢迎来电咨询
STF7N95K3
10000
-/21+
原装
STF7N95K3
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TO220F/23+
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STF7N95K3
3147
TO220F/23+
23+
STF7N95K3
20000
SO8/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
STF7N95K3
50000
MOSFET NCH 950V 7.2A TO220FP/2020+
原装现货配单
STF7N95K3
9208
TO220FP/22+
特价支持,只做原装现货
现了导通损耗最小化,导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员 可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。 来源:风中的叶子
3系列还实现了导通损耗最小化,导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
系列还实现了导通损耗最小化,导通电阻rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员可以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3?技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。
rds(on)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,设计人员可 以提高功率密度及能效。 同时,因为达成低栅电荷量(qg)和低本征电容,这些新的mosfet还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代supermesh3™技术。新产品采用工业标准封装:stf7n95k3采用 to-220fp封装;stp7n95k3采用标准的to-220封装;stw7n95k3采用to-247封装。 随后将推出的新产品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850v、950v、1050v和1200v系列产品。 stx7n95k3系列已投产。