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STF6NM60D

更新时间:2025-06-10 02:30:51

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STF6NM60D 概述

STF6NM60D是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，专为高压应用设计。该器件采用DMOS技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频操作。其最大漏源电压（Vds）可达600V，连续漏极电流（Id）在25°C时为3.6A，在100°C时降额至2.4A，保证了在较高温度下的稳定工作。典型应用场景包括开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器和逆变器等工业设备。此外，它也常用于照明系统中的电子镇流器和LED驱动器。由于其具备优良的热性能和电气性能，有助于提高整体系统效率并减少功耗。在实际电路设计中，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启，同时要考虑散热措施以维持长期可靠运行。

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