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STGB10M65DF2

更新时间:2025-06-22 12:31:22
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  • STGB10M65DF2

    STGB10M65DF2

  • 6000

  • ST(意法半导体)

  • D2PA000/25+26+

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STGB10M65DF2 规格参数
  • 现有数量
    1,000现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    20 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    40 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2V @ 15V，10A
  • 功率 - 最大值
    115 W
  • 开关能量
    120μJ（开），270μJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    28 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    19ns/91ns
  • 测试条件
    400V，10A，22 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
    96 ns
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装
    D2PAK（TO-263）
芯产品
331
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广东微尔科技有限公司
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