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ST PowerMESH IGBT新系列产品
stmicro推出powermesh igbt工艺的新系列产品，更加完善了其在家用电机控制、功率因数校正器、感应加热设备等交互式电力供应上的功能。powermesh igbt v系列产品采用了带状布局专利工艺，运用了一种新的载波周期控制。这种机制提高了集电极到发射极的饱和压降，并降低了关断损耗，使得其适合高达50khz高频应用。v系列stgp20nc60v、stgw20nc60v分别以to-220、to-247封装，均是30a、600v n通道产品。为了避免交叉传导环境，优化了反馈电容－输入电容比。其中，关断损耗还包括了遗留电流以及二极管恢复能损。stgw20nc60vd以to－247封装，组合打包了处于集电极与发射极之间的续流二极管。stgw40nc60v和stgw40nc60vd则以50a、600v的to－247封装，同时，stgw40nc60vd与一个反平行二极管组合封装在max247中。在额定电流下，这些产品都能工作于150°c，并能提供少于2.5v的集电极－发射极饱和压降。其价格从每10,000数量单元$1.25到$4.50不等。来源:零八我的

ST绝缘栅双极晶体管能降低开关电源损耗
意法半导体(st)日前推出powermesh系列绝缘栅双极晶体管。新器件专为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用而设计。此系列绝缘栅双极晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的带状布局专利技术，这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和电压特性，同时还能降低开关损耗，从而使个系列产品适合高达50khz的开关应用。 stgp20nc60v和stgw20nc60v均为30a、600v n沟道器件，采用to-220或to-247封装。为避免交叉传导现象，降低栅电荷，这两个产品优化了crss/ciss比例。它们的开关损耗包括尾电流和二极管恢复能量。stgw20nc60vd是一个to-247封装的stgw20nc60v器件，区别是在同一个封装内的集电极与发射极之间增加一个续流二极管。而stgw40nc60v是一个to-247封装的50a、600v的器件，stgy40nc60vd是一个与stgw40nc60v类似的产品，不同点是在max247封装内增加一个反并联二极管。所有器件的最大工作温度都是150℃，集电极-发射极饱和电压都很低，在额定电流时低于2.5v。订货10,000件的单价在1.25到4.

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