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STGE200N60K

更新时间:2025-06-03 03:17:04

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STGE200N60K

STMicroelectronics IGBT

IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP

封装:ISOTOP

STGE200N60K 概述

STGE200N60K是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换应用。其最大漏源电压(Vds)为600V，连续漏极电流(Id)可达200A，适合于需要大电流处理能力的场合。这款MOSFET广泛应用于工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动机驱动等领域。在电路设计中，建议使用适当的栅极电阻来控制开关速度，并注意PCB布局以优化热性能。为了确保可靠工作，应遵循制造商推荐的最大工作温度范围，并采取必要的散热措施。此器件在高压高频应用中表现出色，有助于提高系统整体效率。

STGE200N60K 规格参数

标准包装
10
类别
半导体模块
家庭
IGBT
系列
-
IGBT 类型
-
配置
-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
-
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
150A
电流 - 集电极截止（最大）
-
Vce 时的输入电容 (Cies)
-
功率 - 最大
-
输入
-
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
ISOTOP
供应商设备封装
ISOTOP?

芯产品

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